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IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列

2011/3/3 9:21:29   电源在线网
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    近日,全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技术,可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率,这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。 

IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列

    IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ,通过把DC-DC转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新款IRF6811和IRF6894芯片组利用IR的DirectFET 封装技术,并采用IR的新一代硅技术来优化关键的 MOSFET参数,为下一代计算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空间小的最佳解决方案。”

    IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷,将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管,可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。

产品规格

器件编号

BVDSS (V)

10V时的

典型导通电阻(mΩ)

4.5V时的

典型导通电阻(mΩ)

VGS (V)

典型QG  (nC)

典型QGD (nC)

概要代码

IRF6811SPBF

25

2.8

4.1

+/-16

11

4.2

SQ

IRF6894MPBF

25

0.9

1.3

+/-16

29

10

MX

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