三菱电机将亮相PCIM亚洲展 合肥工厂已正式投产

    三菱电机将于6月19至21日于上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2012（展位号：301）中盛装亮相，向参观者展示其新MPD系列IGBT模块、汽车用的J系EV-IPM和EV T-PM模块、工业和变频家电用的DIPIPMTM（双列直插式智能功率模块）等，旨在向中国市场提供更低功耗、更低成本和更高稳定性的产品和技术。

    新MPD系列IGBT模块

    新MPD系列IGBT模块外型紧凑，采用新型无焊接AI基板，提供更高的温度循环能力。针对大电流专用的内部结构采用专门的封装，内部封装电感低。采用低损耗的CSTBTTM硅片技术制成的第6代IGBT模块，享有更宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性，并拥有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD适合于大电机驱动、分散式电力发电及大功率UPS等场合。

    该系列模块分1200V及1700V两种额定电压，其中CM2500DY-24S的额定电流高达2500A。其硅片最高结温可达175℃，硅片运行温度最高可达150℃。为了提高散热效率，新MPD专为水冷散热系统设计，从而提高产品的性能。其多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接， 交流和直流主端子分离，便于直流母排连接。

    汽车用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM

    J系列EV-IPM采用第5代LPT-CSTBTTM硅片技术，模块内硅片上集成电流和温度传感器，杂散电感低。目前该产品的电流电压等级有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

J系列EV-IPM

    J系列EVT-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技术，模块内硅片上集成电流和温度传感器。模块内部构造采用DLB构造，成功将主端子延长，使之直接与功率半导体硅片焊接，提高了模块的可靠性。此外，模块采用2合1压注膜封装技术，使得模块内的配线电阻和电感得到减小，从而降低了模块的损耗。目前该系列产品的电流电压等级有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。

    合肥功率半导体工厂已正式投产

    三菱电机日前还宣布，公司与美国捷敏电子有限公司合作在合肥兴建的功率半导体生产工厂已经于今年一月投产，此举可将在中国生产的功率半导体数量逐年提升，至2015年时增加一倍，以应对越来越大的功率半导体市场。

    目前，三菱电机的功率半导体部门共经营六家主要制造工厂，其中三个在日本，另外三个分别在中国、美国及匈牙利。目前，在中国生产的功率半导体已占总产量的20%，三菱电机希望在2015年时，能上升至30%。

    三菱电机选择在中国合肥设立生产工厂，不单表示三菱电机看好中国市场的发展前景，也显示三菱电机对中国市场投入的决心。<