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安森美半导体沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列

2011/12/15 11:14:02   电源在线网
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    应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。

    新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用沟槽拓扑结构,提供优异的低正向压降及更低漏电流,因而导电损耗低及大幅提升的电路能效,帮助设计工程师符合高能效标准规范要求,不会增加复杂度,例如无须同步整流。

安森美半导体沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列

    此LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体(MOS)结构,在正向偏置条件下提供更大的导电区,因而显著降低正向压降。在反向偏置条件下,此结构产生“夹断”(pinch-off)效应,从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同,安森美半导体的沟槽型LVFR的开关性能在-40 °C至+150 °C的整个工作结点温度范围内都很优异。

    为了证明LVFR的优势,安森美半导体将其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)与标准的30 A、100 V平面型肖特基整流器进行比较。基于65 W电源适配器测试的数据显示,使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此显著的能效提升使电源设计人员能够符合规范要求,同时不增加方案的复杂度及成本,例如无须同步整流。

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本文链接:安森美半导体沟槽型低正向压降肖特基整流
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