EE系列高稳定高精密金属膜电阻器
产品详情
| EE系列高稳定高精密金属膜电阻器 |
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| 型号 |
EE1/20 |
EE1/10 |
EE1/8 |
EE1/4 |
EE1/2 |
| 国军标型号 |
RJ52 |
RJ53 |
RJ54 |
RJ55 |
RJ56 |
在不同温度下 的额定功率 (W) |
70℃ |
0.067 |
0.125 |
0.250 |
0.500 |
0.750 |
| 100℃ |
0.057 |
0.110 |
0.173 |
0.350 |
0.610 |
| 125℃ |
0.050 |
0.100 |
0.125 |
0.250 |
0.500 |
| 额定电压(V) |
200 |
200 |
250 |
300 |
350 |
| 阻值范围(Ω) |
10R-2M0 |
0R1-8M0 |
0R1-10M |
0R1-5M0 |
1R0-10M |
外形尺寸 (mm) |
L±0.3 |
3.9 |
7.0 |
10.0 |
14.8 |
18.3 |
| D±0.3 |
1.8 |
2.5 |
3.4 |
5.2 |
6.5 |
| C±0.3 |
25 |
35 |
35 |
35 |
35 |
| d±0.05 |
0.51 |
0.63 |
0.63 |
0.63 |
0.81 | |
精度、温度系数与阻值范围对照表 |
|
±0.02%(P) |
最低 |
|
10R |
10R |
300R |
300R |
|
最高 |
|
500K |
500K |
1MO |
1MO |
|
±0.05(W) |
最低 |
50R
|
10R |
10R |
50R |
50R |
|
最高 |
750K
|
1M0 |
1M0 |
1M0 |
2M0 |
|
±0.1%(B) |
最低 |
10R |
1R0 |
1R0 |
10R |
10R |
|
最高 |
1M0 |
3M0 |
3M0 |
4M0 |
10M |
|
±0.25%(C) |
最低 |
10R |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
|
最高 |
1M0 |
8M0 |
10M |
5M0 |
10M |
|
±0.5(D) |
最低 |
10R |
0R5 |
0R5 |
0R5 |
0R5 |
|
最高 |
1M0 |
8M0 |
10M0 |
5M0 |
10M |
|
±1.0%(F) |
最低 |
10R |
0R1 |
0R1 |
0R1 |
0R1 |
|
最高 |
2M0 |
8M0 |
10M |
5M0 |
10M |
|
±5 ppm/℃(C7) |
最低 |
|
5R0 |
5R0 |
5R0 |
5R0 |
|
最高 |
|
1M0 |
1M0 |
500K |
500K |
|
±10 ppm/℃(C6) |
最低 |
10R |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
|
最高 |
750K |
1M0 |
1M0 |
750K |
750K |
|
±15 ppm/℃(C5) |
最低 |
10R |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
|
最高 |
1M0 |
4M0 |
5M0 |
1M0 |
1M5 |
|
±20 ppm/℃(C4) |
最低 |
10R |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
|
最高 |
1M5 |
8M0 |
10M |
5M0 |
5M0 |
|
±25 ppm/℃(C3) |
最低 |
10R |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
1R0 |
|
最高 |
1M5 |
8M0 |
10M |
5M0 |
10M |
|
±50 Pppm/℃(C2) |
最低 |
10R |
0R1 |
0R1 |
0R1 |
0R1 |
|
最高 |
2M0 |
8M0 |
10M |
5M0 |
10M | |
特性 |
|
试验项目 |
GJB1929-1994要求 |
BDS试验变化 |
|
温度冲击 |
≤±(0.25%R+0.05Ω) |
±0.005% |
|
低温工作 |
≤±(0.25%R+0.05Ω) |
±0.02% |
|
过载 |
≤±(0.25%R+0.05Ω) |
±0.005% |
|
耐焊接热 |
≤±(0.1%R+0.05Ω) |
±0.005% |
|
介质耐压 |
≤±(0.25%R+0.05Ω) |
±0.010% |
|
耐湿 |
≤±(0.5%R+0.05Ω) |
±0.25% |
|
寿命 |
≤±(0.5%R+0.05Ω) |
±0.10% |
|
冲击 |
≤±(0.25%R+0.05Ω) |
±0.01% |
|
振动 |
≤±(0.5%R+0.05Ω) |
±0.01% | |
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