MKP型缓冲保护电路电容器应用于脉冲线路,使用双面金属化电极,强化喷金接触和内部串联连接结构.

*脉冲保护结构
*具有自愈性能
*使用内部串联连接
*极低损耗因素和等效串联电阻
*极高的额定电流承载能力
*极高DV/DT值
*温度变化对容量影响小
*RoHS 2002/95/EC标准


典型应用

·应用于要求非常高可靠性能的高脉冲和高频率电路
·应用于IGBT模块电路
·功率半导体能量转换电路

结构

·介质材料: 聚丙烯(PP)膜
·电容器电极: 双面金属化塑料薄膜

封装

·密封,阻燃胶带(UL510),阻燃环氧树脂填充

引出端

·镀锡铜线或铜片

包装

·为了运输安全,采用纸箱包装.

安装推荐

·在组装和使用本缓冲电容器时,应避免过多的机械扭伤如挤压或撞击,震动在电容器上.
·当安装铜片,螺杆的扭矩最大值为5Nm.


MKP-IGBT-I 缓冲电容器技术规范

额定电压(Un / URMS)
VDC 630 850 1000 1200 1600 2000
VAC 275 450 500 550 600 750

额定电容量(Cn)
参考规格数据表(测试频率1KHz,环境温度+25°)

容量偏差
J(+/-5%) 或 K(+/- 10%), @ 1kHz, +25°C
其它偏差范围可根据客户要求而定

工作温度范围
-40 ℃ ~ +85 ℃ 最大允许环境温度+70°

损耗因子(DF)
DF≤0.06%, @ 1kHz, +25°C

绝缘电阻(IR)
IR >30,000MΩ x μF (或不少于 30,000MΩ)
@+25°C+/-5%(<70% RH) 测试电压100VDC,充电时间1分钟.

最大电压上升速率 (dv/dt)
参考技术数据表 +25℃

最大峰值电流 - IPEAK
(不可重复)
IPEAK =C*DV/DT

最大额定电流.(In)
参考技术数据表 @100KHZ, +70℃

最大等效串联电阻(ESR)
参考技术数据表 +25℃

介质电压强度
引出电极与外壳之间施加3KVAC 50/60Hz,2sec
引出电极之间施加160%的VDC额定电压,10sec,25°

容量漂移
<1.0% @40°,两年

温度系数
-200ppm/°C +/-100ppm°C

预期寿命
≥ 30,000 小时 @VAC at 70°C
≥ 100,000 小时 @In at 70°C

容量变化
典型值:-5%≥100000小时@WVDC@+70°C

介质材料
聚丙烯薄膜-真空蒸镀金属层电极

结构
双面金属化薄膜,内串结构

引出端
镀锡铜片,镀锡铜线

环保要求
Rohs 2002/95/EC