性能技术参数

容量范围 75 μF～3200 μF（25℃）
额定电压 500 VDC～1500 VDC
容量偏差 ±10% (standard), ±5% (upon request)
介质损耗 tanσ≤0.0020（100Hz，25℃）
时间常数 ≥20,000s（Un，25℃）
工作温度 -40℃～+85℃
海拔高度  ≤2000m
预期寿命 100,000 hours at Un and 70℃

测试电压 极间耐压 （Ut-t）: 1.5Un / 10s (25℃)
极壳耐压 （Ut-c）: 3000VAC / 2s (50/60Hz, 25℃)